<track id="r0j4x"><strike id="r0j4x"></strike></track>
    1. 首頁 > 技術交流

      技術交流

      直流濺射鍍膜

      直流濺射鍍膜

      依據直流輝光放電原理制造的鍍膜裝置統稱為直流濺射鍍膜裝置,利用這種裝置濺射的各種工藝統稱為直流濺射鍍膜工藝。
      第一節 直流二極濺射裝置
      u電源采用直流。
      u靶材必須是導體。
      u靶上通以負高壓。
      u陰極靶與基片間的距離大于陰極暗區的3-4倍較為合適。
      u直流二極濺射工作原理圖:
      ?
      ?
      第二節 偏壓濺射裝置
      u與直流二極濺射的區別在于基片上施加一固定直流偏壓。
      u偏壓使基片表面在薄膜沉積過程中,受到氣體離子的穩定轟擊,消除可能進入薄膜表面的氣體,提高薄膜的純度。
      u偏壓可以清除附著力較差的沉積粒子,可以在沉積之前對基片進行轟擊清洗,凈化表面,提高薄膜的附著力。
      u偏壓使荷能粒子(一般指正離子)不斷地轟擊正在形成的薄膜表面,一方面提高膜層的強度,另一方面降低了膜層的生成速度。
      u偏壓較大時,能產生少量非膜材離子(如氬離子)的參雜現象。為保證膜純度,應選擇適當的偏壓值。
      ?
      第三節 三極或四極濺射裝置
      u三極濺射是用熱電子強化放電的一種方式,它能使濺射速率比二極濺射有所提高,又能使濺射工況的控制更方面。在二極濺射系統中提供一個熱電子的源——一根發射自由熱電子的幟熱燈絲,當燈絲比靶電位更負的時候,電子朝向靶轟擊,從而靶入射離子流增加,濺射量相應地增大。由于熱電子的數量并不很大,不會引起靶材過分地加熱。附加的熱電子流,是靶電流的一個調整量,就是說,在二極濺射運行中,氣壓、電壓和靶電流三個主要工藝參數中,電流可以獨立于電壓作一定程度的調整。三極濺射比二極濺射大于提高了一倍的濺射速率。
      u四極濺射——等離子弧濺射
      ??工作壓強比二極濺射低(10-1——10-2Pa)。
      ??靶電流幾乎不隨靶電壓改變,而依賴于陽極電流,實現了靶電流和電壓的分別控制。
      国产女主播喷出白浆视频