<track id="r0j4x"><strike id="r0j4x"></strike></track>
    1. 首頁 > 技術交流

      技術交流

      膜厚均勻性

      膜厚均勻度是衡量薄膜質量和鍍膜裝置性能的一項重要指標。為提高膜厚均勻度,可以采取優化靶基距、改變基片運動方式、增加擋板機構和膜厚監控儀等措施。對于磁控濺射鍍膜,由于其電磁場并非均勻,尤其是不均勻的磁場分布造成不均勻的等離子密度,導致靶原子的不均勻濺射和不均勻的沉積。
      第一節 磁路布置
      u磁場:在各種磁控濺射(包括直流磁控濺射和射頻磁控濺射)靶中,束縛電子運動的磁場強度B是個極其重要的參數。主要是指靶面上最大平行磁場B1,該參數與所選用的磁體材料、磁體幾何形狀及其排列有關。
      u改進磁路布置(其中包括磁體、極靴、間隙、形狀等)能夠改善磁場,拓寬靶刻蝕區和改善靶原子的沉積分布,從而提高膜厚的均勻度。
      ?
      改變磁體形狀等因素,就改變了磁場分布,進而改變了靶材的刻蝕情況。顯然第二種情況優于第一種情況。
      ?
      第二節靶——基距
      u任何一臺具體的濺射鍍膜裝置,與最佳的鍍膜均勻度相對應,存在一個最佳的靶基距。
      u圓形平面磁控靶的靶——基距
      R1為刻蝕區內半徑;
      R2為刻蝕區外半徑;
      經過計算,得出此類型濺射靶的最佳靶基距離h≈2R2。
      u平面磁控靶的靶——基距
      国产女主播喷出白浆视频