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      技術交流

      真空濺射鍍膜的分類和解釋

      濺射鍍膜是指待鍍材料源(稱為靶)和基體一起放入真空室中,然后利用正離子轟擊作為陰極的靶,使靶材中的原子、分子逸出并在基體表面上凝聚成膜。

      1、?真空直流濺射鍍膜??真空直流濺射鍍膜又稱為陰極濺射鍍膜,被鍍膜的基體和固定基體的工件架為陽極(通常接地),被濺射材料做成靶作為陰極,真空室內真空度先抽到10-2Pa以下,再通入氣體(通常氬氣),使工作氣壓為10Pa,靶上加的工作直流電壓-2KV~-5KV使之產生異常輝光放電,等離子區中的正離子由于被陰極靶前的陰極電位降所加速而轟擊陰極靶,從而使靶材產生濺射。

      2、真空磁控濺射鍍膜??磁控濺射是70年代迅速發展起來的一種“高速低溫濺射技術”。磁控濺射是在陰極靶表面上方形成一個正交電磁場,當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后,并不直接飛向陰極而是在正交電磁場作用下作來回振蕩運動,在運動中高能電子不斷地與氣體分子發生碰撞,并向后者轉移能量,使之電離而本身變為低能電子,消除了高能電子對基體轟擊,體現了“低能”特點;與直流濺射相比,工作氣壓降至10-1Pa,濺射電壓降到102量級,靶的電流密度101mA/cm2,使濺射速度大大提高,體現“高速”特點。濺射電壓300V~600V,工作氣壓10-1Pa~100Pa。

      3、真空反應濺射鍍膜??在濺射鍍膜時,將某種反應氣體通入鍍膜室并達到一定的分壓,即可改變或控制沉積特性,獲得不同于靶材的新物質薄膜,如各種金屬氧化物、氮化物、碳化物及絕緣介質等薄膜。

      4、真空中頻濺射鍍膜??鍍膜室常用于兩個并排安置,形狀相同的磁控靶的濺射鍍膜,兩個靶被稱為孿生靶,頻率一般為40KHz。

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      真空濺射鍍膜可用于光學鍍膜、材料研究鍍膜、太陽能鍍膜、半導體研究鍍膜等。

      光學鍍膜簡介 影響一面平面透鏡的透光度有許多成因。鏡面的粗糙度會造成入射光的漫射,?降低鏡片的透光率,此外材質的吸旋光性,也會造成某些入射光源的其中部分頻率消散的特別嚴重。例如會吸收紅色光的材質看起來就呈現色。不過這些加工不良的因素都可以盡可能地去除。

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