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DE300DL 磁控濺射系統
LOAD LOCK預真空進樣室， 前開門濺射腔體， 冷凝泵和干泵， 3個磁控濺射源， 直流、射頻或脈沖電源 朝上或朝下濺射 最大6”基片 基片旋轉 基片偏壓（可選） 基片加熱1000度(可選) 多達四路工藝氣體 PID濺射壓力控制 系統手動或自動控制 良好的薄膜均勻性和重復性 可沉積金屬、半導體和絕緣材料 可沉積多層膜及合金薄膜>
- LOAD LOCK預真空進樣室
- 前開門濺射腔體
- 冷凝泵和干泵
- 3個磁控濺射源
- 直流、射頻或脈沖電源
- 朝上或朝下濺射
- 最大6”基片
- 基片旋轉
- 基片偏壓（可選）
- 基片加熱1000度(可選)
- 多達四路工藝氣體
- PID濺射壓力控制
- 系統手動或自動控制
- 良好的薄膜均勻性和重復性
- 可沉積金屬、半導體和絕緣材料
可沉積多層膜及合金薄膜
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